[发明专利]四波长输出半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610880873.5 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106451076B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 魏思航;张宇;廖永平;倪海桥;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得1.069μm、1.353μm、1.77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 输出 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四波长输出半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：N型GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、AlGaAs下波导层、有源区、AlGaAs上波导层、上匹配层、上DBR层、P型GaAs接触层、绝缘层和P型电极；/n其中，所述上DBR层和P型GaAs接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构；以及/n所述半导体激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有边发射激光器中的上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层的方法，来实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果。/n
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