[发明专利]形成再分布焊盘的方法、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201610881293.8 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919342B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 宋春;钟怡;陈斌江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成再分布焊盘的方法、半导体器件及电子装置，该形成再分布焊盘的方法在再分布焊盘的正下方形成接触焊盘，在接触焊盘顶部金属层中的虚设金属布线直接接触。该形成再分布焊盘的方法可以减少甚至避免再分布焊盘出现剥落问题，提高了器件的性能和良率。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 再分 布焊盘 方法 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种形成再分布焊盘的方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件层和互连层，所述互连层顶部为顶部互连层，所述顶部互连层包括顶部介电层和位于所述顶部介电层中并与所述顶部介电层齐平的顶部金属层，所述顶部金属层包括通过导电插塞与下方金属层电性连接的第一金属布线和虚设的不与下方金属层电性连接的第二金属布线；在所述顶部互连层上形成第一钝化层，并在所述第一钝化层中形成露出所述第一金属布线的第一开口和露出所述第二金属布线的第二开口；在所述第一开口和第二开口中分别形成第一接触焊盘和第二接触焊盘；在所述第一钝化层上形成再分布线和与所述再分布线连接的再分布焊盘；形成覆盖所述第一钝化层、所述第一接触焊盘、第二接触焊盘以及所述再分布线和再分布焊盘的第二钝化层，且在所述第二钝化层中形成露出所述再分布焊盘的开口，其中，所述第二接触焊盘位于所述再分布焊盘的正下方，并与所述再分布焊盘和所述第二金属布线直接接触。
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