[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结构，并形成由所述浅沟槽隔离结构隔离的第一浮栅，其中，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述半导体衬底的顶面，并与所述第一浮栅的顶面齐平；回蚀刻去除部分所述浅沟槽隔离结构，以使剩余的所述浅沟槽隔离结构的顶面低于所述第一浮栅的顶面，高于所述半导体衬底的顶面；在所述第一浮栅露出的表面上形成第二浮栅，所述第二浮栅进一步延伸到所述浅沟槽隔离结构的部分表面上，从而形成蘑菇形浮栅，其中，所述蘑菇形浮栅顶部的宽度大于其底部的宽度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结构，并形成由所述浅沟槽隔离结构隔离的第一浮栅，其中，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述半导体衬底的顶面，并与所述第一浮栅的顶面齐平；回蚀刻去除部分所述浅沟槽隔离结构，以使剩余的所述浅沟槽隔离结构的顶面低于所述第一浮栅的顶面，高于所述半导体衬底的顶面；在所述第一浮栅露出的表面上形成第二浮栅，所述第二浮栅进一步延伸到所述浅沟槽隔离结构的部分表面上，从而形成蘑菇形浮栅，其中，所述蘑菇形浮栅顶部的宽度大于其底部的宽度。