[发明专利]片式复合元器件及其制备方法有效
申请号: | 201610881411.5 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106409508B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 陆亨;聂琳琳;李江竹;李鸿刚;卓金丽;杨晓东;安可荣;曾雨 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/40 | 分类号: | H01G4/40;H01G4/005;H01G4/12;H01G4/228 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 526020 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种片式复合元器件及其制备方法。一种片式复合元器件包括:陶瓷体,陶瓷体包括:第一介质层具有相对的第一表面及第二表面;第一电极层形成于第一介质层的第一表面;第二电极层与第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边;第二介质层层叠于第二电极层的表面且完全覆盖第二表面,第二介质层具有第三表面;第三电极层与第三表面的一条边至少部分平齐形成引出边;第三介质层层叠于第三电极层的表面且完全覆盖第三表面,第三介质层具有第四表面;第四电极层,形成于第四表面;电阻,附着在陶瓷体的一侧,电阻层与第一电极层及第三电极层电连接,且与第四电极层及第二电极层绝缘。这种片式复合元器件结构紧凑。 | ||
搜索关键词: | 复合 元器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种片式复合元器件,其特征在于,包括:陶瓷体,所述陶瓷体为矩形体,所述陶瓷体包括:第一介质层,所述第一介质层具有相对的第一表面及第二表面;第一电极层,形成于所述第一介质层的第一表面;第二电极层,形成于所述第一介质层的第二表面,所述第二电极层与所述第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边;第二介质层,层叠于所述第二电极层的表面且完全覆盖所述第二表面,所述第二介质层具有第三表面,所述第三表面为所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧表面;第三电极层,形成于所述第三表面,且所述第三电极层与所述第三表面的一条边至少部分平齐形成引出边;第三介质层,层叠于所述第三电极层的表面且完全覆盖所述第三表面,所述第三介质层具有第四表面,所述第四表面为所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧表面;第四电极层,形成于所述第四表面;电阻,附着在所述陶瓷体的一侧;其中,所述电阻层与第一电极层及所述第三电极层电连接,且与所述第四电极层及第二电极层绝缘,及/或,所述电阻与所述第二电极层及所述第四电极层电连接,且与所述电阻与第一电极层及第三电极层绝缘;所述第一表面、第二表面、第三表面及第四表面均为矩形,所述第一表面具有相对的第一侧边及第二侧边,所述第二表面具有相对的第三侧边及第四侧边,所述第三表面具有相对的第五侧边及第六侧边,所述第四表面具有相对的第七侧边及第八侧边,所述第一侧边与所述第五侧边平行且与所述第四侧边垂直,所述第七侧边与所述第三侧边平行且与所述第一侧边垂直,所述第二电极层的引出边与所述第三侧边至少部分平齐,所述第三电极层的引出边与所述第五侧边至少部分平齐。
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