[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610881418.7 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919417A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;肖怀曙 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括衬底；第一类型半导体层；多量子阱发光层；第二类型半导体层；超晶格反射层，所述超晶格反射层设置在所述多量子阱发光层以及所述第二类型半导体层之间；以及基板，所述第一类型电极以及所述第二类型电极倒装在所述基板上。具有上述结构的发光二极管可以利用超晶格反射层反射发光区发出的光，同时倒装结构保证了该发光二极管而能够具有较好的散热性能。由此，该发光二极管具有较为优良的散热性能以及较高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层设置在所述衬底上，所述第一类型半导体层具有台阶，所述台阶以外区域设置有第一类型电极；多量子阱发光层，所述多量子阱发光层设置在所述台阶上；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述多量子阱发光层上，所述第二类型半导体层上设置有第二类型电极；超晶格反射层，所述超晶格反射层设置在所述多量子阱发光层以及所述第二类型半导体层之间；以及基板，所述第一类型电极以及所述第二类型电极倒装在所述基板上。
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