[发明专利]玻璃通孔金属化制作方法在审
申请号: | 201610882231.9 | 申请日: | 2016-10-09 |
公开(公告)号: | CN106409758A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 曹立强;林来存;邱德龙;苏华伟;靖向萌;王启东 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅,屠志力 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种玻璃通孔金属化制作方法,包括以下步骤步骤S1,提供一玻璃衬底,采用激光照射的方法,使得需要制作玻璃通孔区域的玻璃变性,形成TGV变性区;在玻璃衬底的正面制作正面再布线层;在正面再布线层上覆盖正面绝缘介质层;将玻璃衬底的正面再布线层一侧与载片通过临时键合胶进行临时键合;采用腐蚀溶液去除玻璃衬底TGV变性区中变性后的玻璃,形成玻璃通孔;以盲孔金属化形式对玻璃通孔进行TGV金属柱制作;对玻璃衬底背面进行平坦化工艺;然后制作背面再布线层,在背面再布线层上覆盖背面绝缘介质层;最后去除临时键合的载片。该方法工艺步骤简单,制作成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 金属化 制作方法 | ||
【主权项】:
一种玻璃通孔金属化制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供一清洗后的玻璃衬底(1),采用激光照射的方法,使得需要制作玻璃通孔区域的玻璃变性,形成TGV变性区(2);步骤S2,在玻璃衬底(1)的正面制作正面再布线层(3);正面再布线层(3)中包括互连金属柱和需要制作玻璃通孔处的金属衬垫(4);在正面再布线层(3)上覆盖正面绝缘介质层(5),并从正面绝缘介质层(5)引出连接正面再布线层(3)的电极;步骤S3,将玻璃衬底(1)的正面再布线层(3)一侧与载片(6)通过临时键合胶(7)进行临时键合;步骤S4,采用腐蚀溶液去除玻璃衬底TGV变性区(2)中变性后的玻璃,形成玻璃通孔(8);步骤S5,以盲孔金属化形式对玻璃通孔(8)进行TGV金属柱(9)制作;步骤S6,对玻璃衬底(1)背面进行平坦化工艺;然后制作背面再布线层(10),背面再布线层(10)中包括互连金属柱和玻璃通孔(8)处的金属衬垫;在背面再布线层(10)上覆盖背面绝缘介质层(11),并从背面绝缘介质层(11)引出连接背面再布线层(10)的电极;步骤S7,最后去除临时键合的载片(6)和临时键合胶(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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