[发明专利]三维半导体组件有效
| 申请号： | 201610883597.8 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107482011B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维半导体组件，包括多层存储层，垂直堆叠于一基板上方且存储层相互平行；一上方选择层位于存储层上方，和一下方选择层位于基板上方；多条串列垂直于存储层和基板，且串列电性连接至对应的上方选择层和下方选择层；以及多条位线相互平行地位于基板上方，且位线位于存储层的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体组件，其特征在于，包括：/n多层存储层(memory layers)，垂直堆叠于一基板上方且该些存储层相互平行；/n一上方选择层(upper selection layer)位于该些存储层上方，和一下方选择层(lower selection layer)位于该基板上方；/n多条串列(strings)垂直于该些存储层和该基板，且该些串列电性连接至对应的该上方选择层和该下方选择层；/n多条位线(bit lines)，相互平行地位于该基板上方，且该些位线位于该些存储层的下方；以及/n外围组件(periphery devices)形成于该基板上且位于该些位线下方，该些位线电性连接至该些外围组件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610883597.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型节能环保小卧车
- 下一篇：一种镁合金公交车骨架的右围
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
