[发明专利]一种空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结的制备方法有效
申请号: | 201610883628.X | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN106495222B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 许群;任玉美 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;C01G41/00;B01J23/30;B01J27/047 |
代理公司: | 郑州先风专利代理有限公司41127 | 代理人: | 黄伟 |
地址: | 450000 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明属于二维层状材料缺陷工程制备技术领域,具体涉及了一种空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结的制备方法。将二硫化钨分散于水或乙醇溶液中得到分散液,然后将所述分散液进行冷水浴超声,取上层液置于超临界二氧化碳反应装置中反应,反应结束后卸压,即得到有空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结。本发明解决了目前大规模制备二维材料缺陷结构的问题,对高产量、高质量制备缺陷掺杂的二维异质结实现了一步完成。 | ||
搜索关键词: | 一种 空穴 缺陷 掺杂 二维 硫化 水合 氧化钨 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结的制备方法,其特征在于,将100‑200质量份的二硫化钨分散于10‑20体积份的水或乙醇溶液中得到分散液,然后将所述分散液进行冷水浴超声,取上层液置于超临界二氧化碳反应装置中,在40‑100℃、8‑20 MPa下搅拌反应2‑8 h,反应结束后卸压至常压,即得到有空穴缺陷掺杂的二维二硫化钨/一水合三氧化钨异质结;上述质量份以mg计时,体积份以ml计。
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