[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610883687.7 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106356365A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘珩;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件及其制备方法，在所述第一开口的侧壁自内之外依次形成氧化物保护层和氮化物保护层，使得在后续填充金属的过程中，可以很好的防止金属离子渗透到所述第一衬底中，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一键合晶圆，所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括层叠的第一衬底和第一介质层，所述第一介质层中设置有第一金属层，所述第二晶圆包括层叠的第二衬底和第二介质层，所述第二介质层中设置有第二金属层，且所述第一介质层面向所述第二介质层设置；在所述第一衬底背离所述第二晶圆的一侧形成第一开口；在所述第一开口的侧壁自内之外依次形成氧化物保护层和氮化物保护层；在所述第一开口内形成互连硅穿孔，所述互连硅穿孔分别暴露所述第一金属层的至少部分表面和所述第二金属层的至少部分表面；在所述第一开口和互连硅穿孔中填充金属。
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