[发明专利]复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器有效
| 申请号： | 201610883828.5 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106558619B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 毛焜 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器；复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管共用相同的漏端，结型场效应晶体管位于横向扩散MOS晶体管的边缘，结型场效应晶体管漂移区的长度大于横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。本发明仅仅增大了整个器件的边缘部分区域的面积，提高了结型场效应晶体管的开态耐压，同时保持关态耐压不变。 | ||
| 搜索关键词： | 复合型 场效应 晶体管 及其 制备 方法 控制器 | ||
【主权项】：
一种复合型场效应晶体管，所述复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，其特征在于，所述横向扩散MOS晶体管和所述结型场效应晶体管共用相同的漏端，所述结型场效应晶体管位于所述横向扩散MOS晶体管的边缘，所述结型场效应晶体管漂移区的长度大于所述横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。
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