[发明专利]一种降低背照式CMOS图像传感器白像素的方法有效
| 申请号： | 201610884399.3 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106449682B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡彬;范晓;陈昊瑜;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低背照式CMOS图像传感器白像素的方法，其包括：在晶圆完成CMOS图像传感器像素区的工艺之后，对像素区表面沉积层间介质层；在晶圆保护层沉积完成后，且在晶圆封装前，对晶圆表面进行至少一次紫外光照射，以降低背照式CMOS图像传感器白像素。因此，本发明通过去除氮化硅介质层内俘获电荷的方法，从而达到降低暗电流，减少白像素产生的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 背照式 cmos 图像传感器 像素 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低背照式CMOS图像传感器白像素的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在晶圆完成CMOS图像传感器像素区的工艺之后，对所述像素区表面沉积层间介质层；步骤S2：在所述晶圆保护层沉积完成后，且在所述晶圆封装前，对所述晶圆表面进行至少一次紫外光照射，以降低背照式CMOS图像传感器白像素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
