[发明专利]COMS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法，在逻辑区进行N型或P型源漏注入时，先在所述半导体衬底上涂覆第一光刻胶，通过曝光与显影暴露出需要进行源漏注入的源漏区，然后刻蚀部分厚度的介质层，进行N型或P型源漏注入，由于第一光刻胶的保护像素区内的介质层未被刻蚀，在所述像素区内的感光二极管区进行离子注入时，所述介质层防止离子注入对感光二极管表面的半导体衬底造成损伤，从而避免因半导体损伤造成的COMS图像传感器白点，提高了COMS图像传感器的质量；并且该方法简单，便于操作，不会对COMS图像传感器的性能造成影响。

主权项

1.一种COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区与逻辑区；在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；在所述半导体衬底上沉积介质层，通过曝光与刻蚀，形成栅极侧墙；在所述半导体衬底上涂覆第一光刻胶，通过曝光与显影，暴露出所述逻辑区内的源漏区；去除所述源漏区内部分厚度的介质层，进行N型或P型源漏注入，并去除所述第一光刻胶；在所述半导体衬底上涂覆第二光刻胶，通过曝光与显影，暴露出所述像素区内的感光二极管区；对所述感光二极管区进行离子注入，在所述半导体衬底表面形成第一掺杂区。