[发明专利]浮栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种浮栅的制备方法，包括提供一基底，在基底上自下至上依次形成浮栅层及掩膜层；在浮栅层和掩膜层中形成一沟槽，并在沟槽的两内侧形成第一侧墙；去除掩膜层，暴露出浮栅层；在暴露的浮栅层的上表面形成一浮栅保护层；对浮栅保护层和浮栅层进行浮栅刻蚀工艺，保留第一侧墙下方的浮栅层，以形成浮栅；在浮栅刻蚀工艺的击穿步刻蚀中，击穿步刻蚀的时间等于刻蚀浮栅保护层的固定时间与刻蚀部分浮栅层的时间之和。本发明通过上述击穿步刻蚀可以防止因所述浮栅层的厚度偏厚而导致浮栅尖端过高的现象，确保后续形成稳定的浮栅尖端，保证闪存性能的良好。

主权项

1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上自下至上依次形成浮栅层及掩膜层；在所述浮栅层和所述掩膜层中形成一沟槽，并在所述沟槽的两内侧形成第一侧墙；去除所述掩膜层，暴露出所述浮栅层；在暴露的所述浮栅层的上表面形成一浮栅保护层；对所述浮栅保护层和浮栅层进行浮栅刻蚀工艺，保留所述第一侧墙下方的所述浮栅层，以形成浮栅；其中，所述浮栅刻蚀工艺包括：击穿步刻蚀，所述击穿步刻蚀的时间等于刻蚀所述浮栅保护层的固定时间与刻蚀部分所述浮栅层的时间之和。