[发明专利]一种提高存储器单元的数据保持力的方法

摘要

本发明提供了一种提高存储器单元的数据保持力的方法，包括：第一步骤：在晶圆中制造存储器单元的工艺中，执行到浮栅的隔离侧墙的沉积步骤；第二步骤：对晶圆执行快速热氧化处理；第三步骤：执行在晶圆中制造存储器单元的工艺的后续步骤以得到制成的存储器单元。其中，所述浮栅的隔离侧墙的沉积步骤采用SiH2Cl2作为气体源来形成二氧化硅SiO2。本发明提供了一种提高存储器单元的数据保持力的工艺方法，通过在浮栅的隔离侧墙的沉积工艺步骤后加上快速热氧化工艺可以有效提高浮栅的隔离侧墙的膜质，进而有效改善数据保持力。

主权项

一种提高存储器单元的数据保持力的方法，其特征在于包括依次执行的下述步骤：第一步骤：在晶圆中制造存储器单元的工艺中，执行到浮栅的隔离侧墙的沉积步骤；第二步骤：对晶圆执行快速热氧化处理；第三步骤：执行在晶圆中制造存储器单元的工艺的后续步骤以得到制成的存储器单元。