[发明专利]一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610884867.7 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106505106A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;田野;杨卓;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210088 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率晶体管及其制备方法。该晶体管采用表面MOS结构，半导体外延层设置有沟槽，沟槽内壁生长有上薄下厚的阶梯状场氧化层，场氧化层内淀积有源极多晶硅，沟槽外围设置有P型体区，P型体区内设置有N+源极和P型半导体接触区，P型体区外围设置有N型JFET区，器件表面淀积有源极金属铝，并与外延层形成良好的欧姆接触。其制备方法包括外延生长步骤，JFET及P型体区离子注入步骤，沟槽刻蚀步骤，氧化层生长步骤，源极多晶硅淀积步骤，栅极多晶硅及栅极氧化层形成步骤，N+源极离子注入步骤，P型半导体接触区离子注入步骤及源极金属淀积步骤。根据本发明制备的屏蔽栅功率半导体晶体管雪崩耐量能力可提高27％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 屏蔽 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率半导体晶体管，包括：重掺杂N+型衬底(1)，在重掺杂N+型衬底(1)上设有轻掺杂N‑型外延层(2)，在轻掺杂N‑型外延层(2)的表面下方设有P型掺杂体区(4)，在P型掺杂体区(4)上设有沟槽，所述沟槽穿过P型掺杂体区(4)并进入轻掺杂N‑型外延层(2)，在沟槽内壁上设有一层场氧化层(5)，在场氧化层(5)内填充有N型源极多晶硅(6)，在场氧化层(5)的外围设有重掺杂N+源极(9)，所述重掺杂N+源极(9)位于P型掺杂体区(4)内并位于P型掺杂体区(4)的表面，在重掺杂N+源极(9)及P型掺杂体区(4)上连接有源极金属(10)，其特征在于，在重掺杂N+源极(9)与氧化层(5)之间设有由部分P型掺杂体区构成的P型半导体接触区(11)；在轻掺杂N‑型外延层(2)的表面上方设有栅极多晶硅(8)，所述栅极多晶硅(8)的一个边界位于重掺杂N+源极(9)的上方，并且，所述栅极多晶硅(8)被栅极氧化层(7)包裹；所述N型源极多晶硅(6)与源极金属(10)连接。
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