[发明专利]硅通孔晶圆平坦化方法在审
| 申请号： | 201610885056.9 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106384725A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈蕊;王同庆;李昆;路新春 | 申请（专利权）人： | 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 300350 天津市津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔晶圆平坦化方法，所述硅通孔晶圆平坦化方法包括如下步骤S1、以第一预设速率v1对晶圆进行化学机械抛光，并实时监控晶圆表面的铜膜厚度，且在铜膜厚度达到第一预设值TH1时停止；S2、以第二预设速率v2对晶圆进行化学机械抛光，在铜膜去除完全时停止；S3、以第三预设速率v3对晶圆表面的阻挡层进行化学机械抛光，在阻挡层去除完全时停止；其中，v1＞v2。本发明的硅通孔晶圆平坦化方法，处理效率高，且平坦程度好。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔晶圆 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔晶圆平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、以第一预设速率v1对晶圆进行化学机械抛光，并实时监控晶圆表面的铜膜厚度，且在铜膜厚度达到第一预设值TH1时停止；S2、以第二预设速率v2对晶圆进行化学机械抛光，在铜膜去除完全时停止；S3、以第三预设速率v3对晶圆表面的阻挡层进行化学机械抛光，在阻挡层去除完全时停止；其中，v1＞v2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
