[发明专利]一种化学机械研磨方法有效

专利信息
申请号: 201610885628.3 申请日: 2016-10-10
公开(公告)号: CN107914213B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 唐强;马智勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B53/017;B24B57/02
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种化学机械研磨方法。所述方法包括:提供半导体晶圆;在研磨台上对所述半导体晶圆执行第一化学机械研磨,其中,晶圆的转动方向、研磨垫修整器的转动方向以及研磨台承载研磨垫的转动方向不完全相同。通过控制研磨台上各部件转动方向的不完全相同,有效的减少研磨时间,降低研磨压力,以及研磨垫修整器的相应转速,压力和时间。从而有效提高研磨速率,增加产率;增加研磨垫,研磨头,研磨浆料利用率和生命周期,减少生产成本。同时还能有效清理研磨垫表面的研磨液副产物,减少了相应的刮伤等产品缺陷。
搜索关键词: 一种 化学 机械 研磨 方法
【主权项】:
一种化学机械研磨方法,其特征在于,所述方法包括:提供半导体晶圆;在研磨台上对所述半导体晶圆执行第一化学机械研磨,其中,晶圆的转动方向、研磨垫修整器的转动方向以及研磨台承载研磨垫的转动方向不完全相同。
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