[发明专利]一种图像传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610885730.3 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106549030B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李琛;任铮;皮常明;温建新;顾学强;范春晖 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器及其制备方法，包括：在第一SOI衬底的体硅区制备像素阵列及其连线；在第二SOI衬底的体硅区制备各个像素阵列的控制电路及其引出极；在一个硅衬底中制备读出电路和图像处理算法电路及其引出极；将第一SOI衬底具有像素阵列及其连线的一面与第二SPI衬底具有控制电路的一面进行键合，第一SOI衬底的像素阵列与第二SOI衬底的控制电路一一对应；将第一SOI衬底未键合的一面的硅层剥离掉，使得第一SOI衬底具有平坦的上表面；将第二SOI衬底的底面与所述硅衬底中的具有读出电路和图像处理算法电路的一面相键合；将第二SOI衬底的引出极与所述硅衬底中的引出极相连，从而降低了器件暗电流，提高了器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：在第一SOI衬底的体硅区制备像素阵列及其连线；在第二SOI衬底的体硅区制备各个像素阵列的控制电路及其引出极；在一个硅衬底中制备读出电路和图像处理算法电路及其引出极；将第一SOI衬底具有像素阵列及其连线的一面与第二SOI衬底具有控制电路的一面进行键合，第一SOI衬底的像素阵列与第二SOI衬底的控制电路一一对应；将第一SOI衬底未键合的一面的硅层剥离掉，使得第一SOI衬底具有平坦的上表面；将第二SOI衬底的底面与所述硅衬底中的具有读出电路和图像处理算法电路的一面相键合；将第二SOI衬底的引出极与所述硅衬底中的引出极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
