[发明专利]半导体器件的电极制作方法有效
| 申请号： | 201610885936.6 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106328511B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 殷登平;王世军;姚飞 | 申请（专利权）人： | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的电极制作方法，包括：在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层；在所述第一介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模，且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口；在第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层，所述第一导体层包括位于第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第一层叠开口中的第二部分；以及去除所述第一抗蚀刻剂掩模，所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的电极制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的第一表面上形成具有第一开口的第一层间介质层；在所述第一层间介质层表面形成具有第二开口的第一抗蚀刻剂掩模，且所述第一开口和所述第二开口连通形成第一层叠开口；在所述第一抗蚀刻剂掩模上方形成第一导体层，所述第一导体层包括位于所述第一抗蚀刻剂掩模表面的第一部分，以及位于所述第一层叠开口中的第二部分；以及去除所述第一抗蚀刻剂掩模，所述第一导体层的第一部分与所述第一抗蚀刻剂掩模一同被除去，保留所述第一导体层的第二部分作为第一面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
