[发明专利]沟槽结构及其形成方法和三轴磁传感器的制作方法在审
| 申请号： | 201610885977.5 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106335872A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 时廷;王健鹏;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽结构及其形成方法和三轴磁传感器的制作方法，所述沟槽结构的形成方法包括步骤在一基底上沉积一第一介质层；在所述第一介质层中形成一开口，所述开口的侧壁与所述开口的底面具有第一倾斜角；沉积一第二介质层，所述第二介质层填充满开口并覆盖第一介质层；刻蚀第二介质层，保留开口的侧壁处的第二介质层以形成第一侧墙，第一侧墙的侧壁与开口的底面具有第二倾斜角，第二倾斜角大于第一倾斜角。本发明通过在开口结构的基础上，进一步在开口的侧壁处形成一第一侧墙，形成具有大倾斜角度的沟槽结构，以满足后续工艺，在所述沟槽的侧壁上形成良好的Z轴磁阻层结构，提高三轴磁传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 及其 形成 方法 三轴磁 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上沉积一第一介质层；在所述第一介质层中形成一开口，所述开口的侧壁与所述开口的底面具有第一倾斜角；沉积一第二介质层，所述第二介质层填充满所述开口并覆盖所述第一介质层；以及刻蚀所述第二介质层，保留所述开口的侧壁处的所述第二介质层以形成第一侧墙，所述第一侧墙的侧壁与所述开口的底面具有第二倾斜角，所述第二倾斜角大于所述第一倾斜角。
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