[发明专利]改善存储器装置中记忆体单元和高压器件漏电的方法

摘要

本发明提供了一种改善存储器装置中记忆体单元和高压器件漏电的方法，包括：第一步骤：形成栅极结构，其中栅极结构包括低压器件栅极结构、高压器件栅极结构、以及记忆体单元栅极结构；第二步骤：在低压器件栅极结构的侧部、高压器件栅极结构的侧部、以及记忆体单元栅极结构的侧部分别形成第一道栅极隔离侧墙；第三步骤：涂覆光刻胶层，并且对光刻胶层进行光刻以暴露出低压器件栅极结构；第四步骤：利用光刻后的光刻胶层，去除低压器件栅极结构侧部的第一道栅极隔离侧墙；第五步骤：去除光刻胶层；第六步骤：在所述低压器件栅极结构的侧部、所述高压器件栅极结构的侧部、以及所述记忆体单元栅极结构的侧部分别进一步形成第二道栅极隔离侧墙。

主权项

一种改善存储器装置中记忆体单元和高压器件漏电的方法，其特征在于包括：第一步骤：形成栅极结构，其中栅极结构包括低压器件栅极结构、高压器件栅极结构、以及记忆体单元栅极结构；第二步骤：在低压器件栅极结构的侧部、高压器件栅极结构的侧部、以及记忆体单元栅极结构的侧部分别形成第一道栅极隔离侧墙；第三步骤：涂覆光刻胶层，并且对光刻胶层进行光刻以暴露出低压器件栅极结构；第四步骤：利用光刻后的光刻胶层，去除低压器件栅极结构侧部的第一道栅极隔离侧墙；第五步骤：去除光刻胶层；第六步骤：在所述低压器件栅极结构的侧部、所述高压器件栅极结构的侧部、以及所述记忆体单元栅极结构的侧部分别进一步形成第二道栅极隔离侧墙。