[发明专利]一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法有效
| 申请号： | 201610886002.4 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106448740B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 任栋梁;钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/00;G11C29/56 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法，包括：针对嵌入式闪存的数据区采用第一弱电短时擦除检查筛序方案，针对嵌入式闪存的代码区采用第二弱电短时擦除检查筛序方案，其中第一弱电短时擦除检查筛序方案不同于第二弱电短时擦除检查筛序方案。在现有技术中，对于输入的电压、时间一致，对于输出的读判断条件也一致。本发明可以剔除增加补丁扇区的设计概念，有效控制了芯片的尺寸大小；而且，本发明可以尽可能大的提升良率，物尽其用、满足不同市场的需求。根据本发明的嵌入式闪存提升良率的筛选办法可有利地用于嵌入式闪存的晶圆测试，可以为终端客户降低成品，增产增效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 闪存 提升 筛选 办法 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法，其特征在于包括：针对嵌入式闪存的数据区采用第一弱电短时擦除检查筛序方案，针对嵌入式闪存的代码区采用第二弱电短时擦除检查筛序方案，其中第一弱电短时擦除检查筛序方案不同于第二弱电短时擦除检查筛序方案；/n还包括：/n第一步骤：针对嵌入式闪存的数据区，采用第一弱电短时擦除检查筛序方案，并且设置第一输入条件和第一输出条件；/n第二步骤：针对嵌入式闪存的代码区采用第二弱电短时擦除检查筛序方案，并且设置第二输入条件和第二输出条件；/n其中第一弱电短时擦除检查筛序方案不同于第二弱电短时擦除检查筛序方案；而且，第一弱电短时擦除检查筛序方案相对于第二弱电短时擦除检查筛序方案更苛刻，其中，在满足第一弱电短时擦除检查筛序方案的情况下，第二弱电短时擦除检查筛序方案被满足；在满足第二弱电短时擦除检查筛序方案的情况下，第一弱电短时擦除检查筛序方案不一定被满足。/n
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