[发明专利]一种纯化碳纳米管薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610886214.2 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106477550B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 方英;李红变;史济东 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纯化碳纳米管薄膜的方法，其目的在于提高碳纳米管薄膜透过率与电导率，所述方法为：(1)将碳纳米管薄膜转移至目标基底；(2)将碳纳米管薄膜与目标基底一并放入加热炉中，于280～320℃下进行退火处理，然后冷却；(3)将碳纳米管薄膜与目标基底置于盐酸中浸泡，然后洗涤吹干，得到纯化后的碳纳米管薄膜。本发明针对碳纳米管薄膜中石墨碳外壳包裹铁颗粒的杂质结构，首先对碳纳米管薄膜样品在空气中高温退火，去除石墨碳，进一步采用盐酸进行浸泡，除掉铁颗粒，最终达到去除杂质，纯化碳纳米管薄膜的效果，处理后的碳纳米管薄膜具有很高的透明度和导电性。本方法可以达到较高的纯化效率，纯化条件温和，简便易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯化 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯化碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将碳纳米管薄膜转移至目标基底；(2)将碳纳米管薄膜与目标基底一并放入加热炉中，于280～320℃下进行退火处理，然后冷却；(3)将冷却后的碳纳米管薄膜与目标基底置于盐酸中浸泡，然后洗涤吹干，得到纯化后的碳纳米管薄膜。
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