[发明专利]一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201610886226.5 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106298901B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;方云超;杨翰琪;李胜;叶然;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 载流子 可靠性 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲区(4)和P型体区(18)，在N型缓冲区(4)内设有P型阳区(5)，在P型体区(18)中设有N型阴区(15)和P型体接触区(17)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(13)和场氧化层(10)，且栅氧化层(13)的一端和场氧化层(10)的一端相抵，所述栅氧化层(13)的另一端向N型阴区(15)延伸并止于N型阴区(15)的边界，在栅氧化层(13)的表面设有多晶硅栅(12)且所述多晶硅栅(12)延伸至场氧化层(10)的上表面，在场氧化层(10)的表面上设有多晶硅(9)且多晶硅(9)与P型阳区(5)相邻，在场氧化层(10)、P型体接触区(17)、N型阴区(15)、多晶硅栅(12)、P型阳区(5)的表面设有钝化层(6)，在P型阳区(5)和多晶硅(9)上连接有第一金属电极(7)，在多晶硅栅(12)的表面连接有第二金属电极(11)，在N型阴区(15)表面连接有第三金属电极(14)，在P型体接触区(17)表面有连接有第四金属电极(16)，其特征在于所述P型阳区(5)由成行排列的等大块状P型区构成，在N型缓冲区(4)内设有浮空N型接触区(8)，所述成行排列的块状P型区设在浮空N型接触区(8)内且每个块状P型区的三个侧面被浮空N型接触区(8)三面包围；所述场氧化层(10)的另一端向P型阳区(5)延伸并止于所述浮空N型接触区(8)。
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