[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201610886866.6 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106571308A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡政勳;卡罗司·迪亚兹;李忠儒;眭晓林;包天一;吴永旭;陈欣蘋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，包括形成介电层于基材上；形成蚀刻停止层于介电层；形成第一图案化的硬式罩幕，以定义出蚀刻停止层上的第一沟渠；形成延伸穿过蚀刻停止层与介电层的第二沟渠。第二沟渠是相邻于第一沟渠。上述方法也包括以第一材料层填入第一沟渠与第二沟渠中；当第一材料层被填入至第二沟渠中时，将第一沟渠延伸穿过蚀刻停止层与介电层，以形成延伸的第一沟渠；形成第一金属线于延伸的第一沟渠中；形成盖层于第一金属线上；以及移除第一金属线的一部分，以形成第一切口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一介电层于一基材上；形成一蚀刻停止层于该介电层上；形成一第一图案化的硬式罩幕，以定义该蚀刻停止层上的一第一沟渠；形成一第二沟渠，该第二沟渠延伸穿过该蚀刻停止层与该介电层，其中该第二沟渠与该第一沟渠相邻；以一第一材料层填入该第一沟渠与该第二沟渠；当该第一材料层被填入至该第二沟渠中时，将该第一沟渠延伸穿过该蚀刻停止层与该介电层，以形成一延伸的第一沟渠；形成一第一金属线于该延伸的第一沟渠中；形成一盖层于该第一金属线上；以及使用该蚀刻停止层与该第一材料层做为一蚀刻罩幕，来移除该第一金属线的一部分，以形成一第一切口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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