[发明专利]集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种单光子雪崩二极管(SPAD)及其制作方法，为降低版图尺寸的集成淬灭电阻的SPAD结构及其制备方法，通过将淬灭电阻光刻在SPAD结构中，使雪崩电荷控制在合理范围内，从而实现后脉冲概率的有效降低，改善像素性能。本发明采用的技术方案是，集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管，在P型半导体衬底上，生成有P型外延层，在P型外延层上先后进行N型杂质注入和P型杂质注入形成有PN结，PN结上设置氧化形成的氧化层，对部分氧化层进行刻蚀处加入有阳极，阳极与P型杂质相连通，利用光刻添加的淬灭电阻与阳极相连，阳极通过一层金属环与输出引脚相连。本发明主要应用于单光子雪崩二极管设计制造。

主权项

一种集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管，其特征是，在P型半导体衬底上，生成有P型外延层，在P型外延层上先后进行N型杂质注入和P型杂质注入形成有PN结，PN结上设置氧化形成的氧化层，对部分氧化层进行刻蚀处加入有阳极，阳极与P型杂质相连通，利用光刻添加的淬灭电阻与阳极相连，阳极通过一层金属环与输出引脚相连。