[发明专利]一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法有效
| 申请号： | 201610887109.0 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106524935B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 何巍;祝连庆;娄小平;董明利;李红;姚齐峰;辛璟焘 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01B11/16 | 分类号： | G01B11/16 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人： | 顾珊;庞立岩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法，所述应变测量方法包括如下步骤：a、搭接双程MZ结构，所述双程MZ结构包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纤、第二光纤、第三光纤和第四光纤；b、将长周期光纤光栅熔接到所述双程MZ结构中，其中将刻有长周期光纤光栅的光纤两端分别与第三光纤和第四光纤熔接，所述长周期光纤光栅构成双程MZ结构的反射端；c、将b熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构整体结构置于温箱中，改变温控箱的应变，利用光谱仪监测波长移动；d、绘制波长与应变变化的关系曲线，利用所述关系曲线对待测应变材料的应变进行测量。本发明能够有效降低透射峰的宽度，提高测量的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 长周期光纤光栅 双程 光纤 熔接 关系曲线 光耦合器 结构测量 测量 光谱仪 波长移动 光纤两端 光纤熔接 结构整体 应变变化 应变材料 应变测量 反射端 透射峰 温控箱 波长 搭接 温箱 光源 绘制 监测 | ||
【主权项】：
1.一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法，其特征在于，所述应变测量方法包括如下步骤：a、搭接双程MZ结构，所述双程MZ结构包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纤、第二光纤、第三光纤和第四光纤；其中所述第一光纤与第二光纤熔接在所述第一光耦合器与第二光耦合器之间，所述第三光纤和第四光纤的一端与第二光耦合器连接；b、将长周期光纤光栅熔接到所述双程MZ结构中，其中长周期光纤光栅的光纤两端分别与第三光纤和第四光纤熔接，所述长周期光纤光栅构成双程MZ结构的反射端，其中第三光纤和第四光纤选用纤芯直径为10/125微米的SMF‑28E光纤；c、将步骤b熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构整体的熔接长周期光纤光栅的一侧与应变材料相贴合，逐渐改变应变材料的应变大小，选取长周期光纤光栅的波谷为采样点，利用光谱仪监测波长移动；d、利用步骤c监测到的波长移动绘制波长与应变变化的关系曲线，利用所述关系曲线对待测应变材料的应变进行测量。
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