[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、P型层，所述MQW层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；量子阱层分成第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱三种，第一类量子阱中的量子阱层的生长温度逐层降低，第二类量子阱中的量子阱层的In含量逐层变化，第三类量子阱中的量子阱层的In含量和Ga含量的比值逐层减小，所有量子阱层沿发光二极管外延片的生长方向依次属于第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱。本发明可以有效提高电子波函数和空穴波函数的重叠程度，最终提高了LED的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、P型层，所述MQW层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；其特征在于，所述量子阱层分成第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱三种，所述第一类量子阱、所述第二类量子阱、所述第三类量子阱均包括至少两层相邻的所述量子阱层，所述第一类量子阱中的所述量子阱层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层降低，所述第二类量子阱中的所述量子阱层的In含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层变化，所述第三类量子阱中的所述量子阱层的In含量和Ga含量的比值沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层减小，所有所述量子阱层沿所述发光二极管外延片的生长方向依次属于所述第一类量子阱、所述第二类量子阱、所述第三类量子阱；所述量子垒层分成第一类量子垒和第二类量子垒，所述第一类量子垒和所述第二类量子垒层均包括至少一层所述量子垒层，所述第一类量子垒中的所述量子垒层的中间区域的生长温度高于两侧区域的生长温度，所述第一类量子垒中的所述量子垒层的中间区域的生长速率高于两侧区域的生长速率，所述第二类量子垒中的所述量子垒层的生长温度保持不变，所述第二类量子垒中的所述量子垒层的生长速率保持不变，所有所述量子垒层中的部分所述量子垒层属于所述第一类量子垒，剩下的所述量子垒层属于所述第二类量子垒。