[发明专利]一种化合物半导体单晶生长装置及方法在审
| 申请号： | 201610887554.7 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106400101A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 易明辉;雷仁贵;高鹏飞;朱刘 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体单晶生长装置，包括压力容器和热解氮化硼坩埚，还包括设置在压力容器的内部的石墨坩埚组件，压力容器内部设置有石墨热场组件，且石墨热场组件用于给石墨坩埚组件加热；石墨坩埚组件包括石墨坩埚本体、石墨坩埚盖和与石墨坩埚本体的上口密封连接的石墨密封环，热解氮化硼坩埚能够放入石墨坩埚本体的内部，且密封连接为可拆卸连接；石墨密封环上方设置有用于放置密封物质的凹槽，石墨坩埚盖能够嵌入凹槽，且密封物质为熔点小于500℃的固态物质。上述装置提高化合物半导体单晶生长过程中温度场的温度控制精度。另外本发明还公开了一种化合物半导体单晶生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体单晶生长装置，包括压力容器(1)和热解氮化硼坩埚，其特征在于，还包括设置在所述压力容器(1)的内部的石墨坩埚组件(3)，所述压力容器(1)内部设置有石墨热场组件(2)，且所述石墨热场组件(2)用于给所述石墨坩埚组件(3)加热；所述石墨坩埚组件(3)包括石墨坩埚本体、石墨坩埚盖和与所述石墨坩埚本体的上口密封连接的石墨密封环，所述热解氮化硼坩埚能够放入所述石墨坩埚本体的内部，且所述密封连接为可拆卸连接；所述石墨密封环上方设置有用于放置密封物质的凹槽，所述石墨坩埚盖能够嵌入所述凹槽，且所述密封物质为熔点小于500℃的固态物质。
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