[发明专利]一种含硅的铜基块体非晶合金复合材料及其制备工艺有效
| 申请号： | 201610888065.3 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106222585B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡安辉;安琪;周果君;罗云;李小松;丁超义 | 申请（专利权）人： | 湖南理工学院 |
| 主分类号： | C22C45/10 | 分类号： | C22C45/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 414000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料领域，公开了一种含硅的铜基块体非晶合金复合材料及其制备工艺。该铜基块体非晶合金复合材料是将纯度为99.99wt%的铜、纯度为99.99wt%的锆和纯度为99.5wt%的结晶硅在真空熔炼炉中熔炼，然后采用真空吸铸法将合金液吸铸到水冷铜模中制备出直径为2mm的合金棒。该合金的化学成分为50at%Cu、48.5‑49.5at%Zr，0.5‑1.5at%Si，其抗压强度为2003‑2280MPa、屈服强度为1560‑1750MPa、塑性应变为0.5‑2.0%、电阻率为0.967‑1.017μΩm、导热系数为17.0‑18.3W/(mK)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 块体 合金 复合材料 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种含硅的铜基块体非晶合金复合材料，其特征在于:所述非晶合金复合材料的化学成分为50at%Cu、48.5‑49.5at%Zr，0.5‑1.5at%Si；所述非晶合金复合材料的制备方法包括如下步骤：将纯度为99.99wt%的铜、纯度为99.99wt%的锆和纯度为99.5wt%的结晶硅放入非自耗真空电弧炉中的铜坩埚中，对炉腔进行抽真空，使其真空度达到1×10‑4Pa，充入高纯氩气使炉腔内部的压力达到40Pa，然后对合金元素反复熔炼5次，然后采用真空吸铸法将合金液吸铸到水冷铜模中制备出直径为2mm的合金棒。
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