[发明专利]一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法在审
| 申请号： | 201610888559.1 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106328779A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 谢为友;逯利军;钱培专 | 申请（专利权）人： | 赛特斯信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁,郑暄 |
| 地址： | 210042 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，本发明在普通CdS量子点合成上更换了封端剂，以提高光致发光效率；在CdS量子点水溶液中加入了Triton X‑100活性剂，以减小去离子水的表面张力，使得CdS量子点水溶液在超疏水的PVK层表面的接触角大大减小，使CdS量子点溶液能在PVK层上更好的铺展，实现均匀的旋涂，完成QLED结构；在CdS量子点层高温退火过程中设定不同温度测其发光效率，得到最佳退火温度，完善CdS量子点的改良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 qled cds 量子 改良 方法 | ||
【主权项】：
一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，包括在常规热化学方法制备CdS量子点的ZnO量子的基础上，用hioglycolic acid(TGA)代替thiogelycerol(TG)作为封端剂，更好的保护发射近白光的CdS量子点，以提高CdS量子点量子产率；所述CdS量子点制备的水溶液中加入一定比例的Triton X‑100作为活性剂，减小溶有超亲水CdS量子点的去离子水的表面张力，使其能均匀附着于超疏水的PVK层之上。
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