[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201610888896.0 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107919287A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王彦;常荣耀;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底上有鳍部，鳍部包括第一区和第二区，第一区和第二区之间有隔离槽；在半导体衬底上形成隔离结构膜，隔离结构膜覆盖鳍部侧壁且填充满隔离槽；在隔离结构膜和鳍部上形成掩膜层，掩膜层中具有目标开口，目标开口暴露出隔离槽中的隔离结构膜表面、以及隔离槽周围的第一区鳍部的部分顶部表面和第二区鳍部的部分顶部表面；在目标开口中形成隔离层膜后，去除掩膜层；之后回刻蚀隔离层膜和隔离结构膜，使隔离层膜形成隔离层，使隔离层膜周围的隔离结构膜形成隔离结构，隔离层的顶部表面高于鳍部的顶部表面，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。所述方法能提高隔离层的隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区和第二区，第一区和第二区之间具有隔离槽；在所述半导体衬底上形成隔离结构膜，所述隔离结构膜覆盖鳍部的侧壁且填充满所述隔离槽；在所述隔离结构膜和鳍部上形成掩膜层，所述掩膜层中具有目标开口，所述目标开口暴露出隔离槽中的隔离结构膜表面、以及隔离槽周围的第一区鳍部的部分顶部表面和第二区鳍部的部分顶部表面；在所述目标开口中形成隔离层膜后，去除掩膜层；去除掩膜层后，回刻蚀隔离层膜和隔离结构膜，使隔离层膜形成隔离层，使隔离层膜周围的隔离结构膜形成隔离结构，隔离层的顶部表面高于鳍部的顶部表面，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
