[发明专利]一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]_x，其中：a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤50；b表示单层Ge薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤13；x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器，极具市场前景。

主权项

1.一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料，其包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过交替叠加形成类超晶格结构；所述GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x，其中：a表示单层GeTe薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤a≤50；b表示单层Ge薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤b≤10；x表示单层GeTe薄膜材料和单层Ge薄膜材料的交替周期数，并且x为任一正整数。