[发明专利]高速光敏设备及相关方法

摘要

本发明提供一种高速光电子设备及相关方法。在一个方面，例如，高速光电子设备可以包括具有入射光表面的硅材料、在硅材料中形成半导体结的第一掺杂区和第二掺杂区以及耦合到该硅材料并定位成与电磁辐射相互作用的纹理区。对于具有从大约800nm到大约1200nm的至少一个波长的电磁辐射，该光电子设备具有从大约1皮秒到大约5纳秒的响应时间和大于或等于大约0.4A/W的灵敏度。

主权项

1.一种用于光探测与测距(LIDAR)的高速光电子系统，其包含：支撑衬底；以及包括至少两个光电二极管的光电二极管阵列，每个光电二极管包括：具有入射光表面和在1μm到100μm范围内的厚度的硅材料；在所述硅材料中形成光电二极管结的第一掺杂区和第二掺杂区；以及与所述硅材料相关联并定位成与电磁辐射相互作用的纹理区；其中所述光电二极管阵列的所述至少两个光电二极管通过隔离结构彼此分开，并且其中对于具有940nm的波长的电磁辐射，所述光电二极管阵列具有大于或等于0.3A/W的灵敏度。