[发明专利]一种浅埋层高压肖特基整流器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610889907.7 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107946373A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;张培健;杨伟;陈兴;杨婵;钟怡;欧宏旗 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅埋层高压肖特基整流器及其制造方法，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型浅埋层、肖特基势垒层、场介质层、阳极金属层和阴极金属层。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型浅埋层浮空于轻掺杂第一导电类型外延层内部。所述第一导电类型浅埋层与第二导电类型保护环区接触或者不接触。所述肖特基势垒层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面和第二导电类型保护环区之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述阳极金属层覆盖于介质层和肖特基势垒层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浅埋层 高压 肖特基 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅埋层高压肖特基整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(10)、轻掺杂第一导电类型外延层(20)、第二导电类型保护环区(21)、第一导电类型浅埋层(22)、肖特基势垒层(23)、场介质层(30)、阳极金属层(40)和阴极金属层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(10)覆盖于阴极金属层(50)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(10)之上；所述第二导电类型保护环区(21)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述第一导电类型浅埋层(22)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(20)内部；所述第一导电类型浅埋层(22)与第二导电类型保护环区(21)接触或者不接触；所述肖特基势垒层(23)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面和第二导电类型保护环区(21)之上的部分表面；所述场介质层(30)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述阳极金属层(40)覆盖于介质层(30)和肖特基势垒层(23)之上。
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