[发明专利]一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法在审
| 申请号： | 201610890159.4 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107946374A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;钟怡;欧宏旗;杨婵;刘建;张培健 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及制造方法；所述带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型表面杂质浓度调节区、场介质层、阳极金属层和阴极金属层。所述带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器及其制造方法，能够使所获得的产品保持高反向击穿电压，低正向压降和高抗冲击可靠性等特性的前提下，还具有低漏电流的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 表面 杂质 浓度 调节 肖特基 整流器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带有表面杂质浓度调节区的肖特基整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(10)、轻掺杂第一导电类型外延层(20)、第二导电类型保护环区(21)、第一导电类型表面杂质浓度调节区(22)、场介质层(30)、阳极金属层(40)和阴极金属层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(10)覆盖于阴极金属层(50)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(10)之上；所述第二导电类型保护环区(21)和第一导电类型表面杂质浓度调节区(22)均覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述第二导电类型保护环区(21)、第一导电类型表面杂质浓度调节区(22)的上表面共面；所述场介质层(30)覆盖于第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；所述阳极金属层(40)覆盖于介质层(30)和第一导电类型表面杂质浓度调节区(22)之上；所述阳极金属层(40)还覆盖于第二导电类型保护环区(21)之上的部分表面。
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