[发明专利]一种(012)晶面择优取向的Bi1-x 有效
| 申请号： | 201610890214.X | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106517814B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;乐忠威;任慧君;夏傲;杨玮;郑玉娟 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 岳培华 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 012 择优取向 bi base sub | ||
【主权项】：
一种(012)晶面择优取向的Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜，其特征在于：该薄膜的结构式为Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3，x＝0.06～0.12；该薄膜属于三方结构，空间群为R3c:H，晶胞参数a＝b＝5.5810，c＝13.8757，且该薄膜沿(012)晶面择优取向生长。
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