[发明专利]整流器、使用该整流器的交流发电机以及电源有效
申请号: | 201610890233.2 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN106602901B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 石丸哲也;栗田信一;寺川武士 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立功率半导体 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;赵宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及整流器、使用其的交流发电机以及电源。即使对同步整流MOSFET的漏极施加高电压也能进行正常的整流动作。整流器具备:整流MOSFET,其进行整流;以及控制电路,其包括在非反转输入端子IN+上连接整流MOSFET的漏极、并在反转输入端子IN-上连接源极的比较器,通过比较器的输出来控制整流MOSFET的导通和截止。控制电路具备:截断MOSFET,其在整流MOSFET的漏极与比较器的非反转输入端子IN+之间进行截断;以及截断控制电路,其在整流MOSFET的漏极的电压为第一预定电压以上时使截断MOSFET截止,而使整流MOSFET的漏极与比较器的非反转输入端子IN+之间电截断。 | ||
搜索关键词: | 整流器 使用 交流 发电机 以及 电源 | ||
【主权项】:
一种整流器,其特征在于,该整流器具备:整流MOSFET,其进行整流;以及控制电路,其包括在第一输入端子上连接上述整流MOSFET的漏极、并在第二输入端子上连接上述整流MOSFET的源极的比较器,通过上述比较器的输出来控制上述整流MOSFET的导通和截止,上述控制电路具备:截断MOSFET,其在上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子之间进行截断;以及截断控制电路,其在上述整流MOSFET的漏极的电压为第一预定电压以上时,使上述截断MOSFET截止,并使上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子之间电截断;在上述整流MOSFET的漏极的电压低于上述第一预定电压时,使上述截断MOSFET导通,并使上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子电导通。
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