[发明专利]多晶硅有效
| 申请号： | 201610890923.8 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106966395B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/035 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅。具体地，本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先，准备三氯硅烷作为样品(S101)，利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103)，判定为合格品的情况下(S103：是)，将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面，判定为不合格品的情况下(S103：否)，则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱，则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅，其是使用以三氯硅烷作为主成分的氯硅烷类通过CVD法制造的多晶硅，其中晶体中的碳浓度为0.048ppma以下，所述氯硅烷类包含含有甲基二氯硅烷的甲基硅烷类和包含异戊烷的烃类作为杂质，所述甲基硅烷类为0.01ppmw以下且所述烃类为0.05ppmw以下，且所述甲基硅烷类的浓度与所述烃类的浓度是通过基于GC/MS‑SIM法进行的所述氯硅烷类中的杂质测定而得到的值，所述GC/MS‑SIM法使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱进行成分的分离。
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