[发明专利]管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法

摘要

本发明公开了一种高纯度、高密度、低氧含量、低电阻率的管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：靶材基管准备：选用并检验所需型号的靶材基管；基管表面预处理：将靶材基管进入基管预处理设备进行喷砂粗化、喷涂打底结合层，得到准备喷涂的靶材基管；硅粉原料准备：称取含量：99.95%‑99.99%、氧含量≤1500ppm、粒径为45‑150μm的硅粉；烘干：将所得的硅粉原料置于烘干炉中烘干；真空等离子喷涂：将靶材基管置于密封的喷涂仓内，采用大功率超音速等离子喷涂枪，使用等离子体为热源将所得硅粉加热到熔融或半熔融状态，并随高速焰流喷涂到制备好的靶材基管表面，形成致密的硅涂层。

主权项

1.管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：靶材基管准备：选用并检验所需型号的靶材基管；基管表面预处理：将靶材基管进入基管预处理设备进行喷砂粗化、喷涂打底结合层，得到准备喷涂的靶材基管；硅粉原料准备：称取含量：99.95％‑99.99％、氧含量≤1500ppm、粒径为45‑150μ m 的硅粉；烘干：将所得的硅粉原料置于烘干炉中烘干；真空等离子喷涂：将靶材基管置于密封的喷涂仓内，采用大功率超音速等离子喷涂枪，使用等离子体为热源将所得硅粉加热到熔融或半熔融状态，并随高速焰流喷涂到制备好的靶材基管表面，形成致密的硅涂层，在喷涂过程中，连续的往喷涂仓中通入氮气，并呈正压状态，喷涂电压95‑100V、喷涂电流550‑600A、等离子焰体温度10000‑15000℃、焰流速150m/s、氩气流量1500‑2500L/h、氢气流量600‑1500L/h、氮气流量3000‑4000L/h；机械加工：待喷涂所得靶材到达所定尺寸后，对成型的靶材进行外形机械加工，加工后进行清洁包装即得到管状旋转高纯硅溅射靶材。