[发明专利]一种超小间距纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种超小间距纳米棒阵列的制备方法，通过在阳极氧化铝模板上溅射金属材料就可以得到的具有超小间距纳米棒阵列，该方法能够具有制备简单、成本低、制备环境友好、样品面积大等优势；所得纳米棒阵列能够非常容易集成制备光电探测芯片，同时由于纳米棒之间强烈的耦合作用，该光电探测芯片将基于金属材料的热电子形成光电流，而不是传统的半导体材料的电子空穴对，因此探测波长不依赖于能带结构，能够在红外光电探测器的制备中发挥优势。

主权项

1.一种超小间距纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将厚度为1‑3mm铝片放入丙酮溶液浸泡5‑15min，然后放入浓度为0.5‑1.5mol/L的氢氧化钠溶液浸泡5‑15min，最后放入酒精浸泡5‑15min；（2）将酒精浸泡之后的铝片放入高氯酸和酒精体积比为15‑35%的溶液，利用10‑30V的电压电化学抛光2‑6min，抛光温度为0‑4℃；（3）将抛光后的铝片放入浓度为0.1‑0.3 mol/L的草酸溶液中进行第一次氧化处理，铝片做阳极，铂片做阴极，氧化电压为30‑50V，氧化时间为2‑8小时，反应温度为4‑8℃；（4）将第一次氧化处理后的铝片放入铬酸、磷酸和蒸馏水的混合溶液中进行刻蚀，混合溶液的温度为45‑75℃，刻蚀时间为60‑90min； （5）将刻蚀后的铝片放入质量分数为10%的磷酸溶液中进行第二次氧化处理，铝片做阳极，铂片做阴极，氧化温度为15℃，处理过程分为两个阶段，第一阶段氧化电压为40V，第一阶段氧化时间为3min，第二阶段氧化电压为80V，第二阶段氧化时间为2h；（6）经过第二次氧化处理后形成多孔氧化铝模板，利用溅射仪在多孔氧化铝模板表面溅射得到超小间距纳米棒阵列，溅射电流为5‑100mA，溅射时间为50‑300s。