[发明专利]一种防边缘漏电的太阳电池刻边方法

摘要

本发明公开了一种防边缘漏电的太阳电池刻边方法，包括如下步骤S1用刻蚀浆料均匀涂到扩散后硅片的四周边缘，并在空气中静置5‑10min，刻蚀浆料和与之接触到地方的PSG/BSG反应，并把这个地方的PSG/BSG刻蚀掉；S2用去离子水洗掉涂在硅片四周边缘的刻蚀浆料；S3将洗掉刻蚀浆料的硅片放进温度范围为60‑80℃浓度为30％‑50％的KOH抛光液中反应2‑5min，之后用去离子水清洗最后烘干。本发明通过采用只会和PSG/BSG反应的刻蚀浆料，实现了在保证电池两面扩散层完整的前提下，很好地刻蚀掉硅片边缘的扩散层，从而有效地防止电池边缘漏电现象的发生。采用本方法刻边，太阳电池Rsh提升到3000Ω以上，IRev1降至0.2以下，FF提升了0.3％以上，Eta提升了0.1％以上。

主权项

一种防边缘漏电的太阳电池刻边方法，包括如下步骤：S1：用刻蚀浆料均匀涂到扩散后硅片的四周边缘，并在空气中静置5‑10min,刻蚀浆料和与之接触到地方的PSG/BSG反应，并把这个地方的PSG/BSG刻蚀掉；S2：用去离子水洗掉涂在硅片四周边缘的刻蚀浆料；S3：将洗掉刻蚀浆料的硅片放进温度范围为60‑80℃，浓度为30％‑50％的KOH抛光液中反应2‑5min，之后用去离子水清洗最后烘干。