[发明专利]用于制备阳极短路的场阑绝缘栅双极晶体管的方法

摘要

一种用于制备阳极‑短路的场阑绝缘栅双极晶体管（IGBT）的方法，包含选择性地制备导电类型相反的第一和第二半导体植入区。第二导电类型的场阑层生长在衬底上方或植入到衬底中。外延层可以生长在衬底上或场阑层上。在外延层中，制备一个或多个绝缘栅双极晶体管器件元。

主权项

一种用于制备阳极短路的场阑绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于，该方法包含：a、在第一导电类型的外延层的顶面中，制备一个或多个绝缘栅双极晶体管器件元；b、将外延层的背面减薄至所需厚度；c、对外延层的背面进行第一导电类型的无掩膜植入，构成场阑层，其中场阑层中电荷载流子的浓度高于外延层；d、利用第一阴影掩膜，在场阑层的背面中，选择性地植入第二导电类型的第一半导体区，第二导电类型与第一导电类型相反，其中第一半导体区的电荷载流子浓度高于场阑层；e、利用第二阴影掩膜，在场阑层的背面中，选择性地植入第一导电类型的第二半导体区，其中第二半导体区的电荷载流子浓度高于场阑层；并且f、激光激活第一和第二半导体区；g、在第一和第二半导体区的背面沉积一个金属层。