[发明专利]一种敷铜板腐蚀设备在审
| 申请号： | 201610893493.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106373879A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 谢雨锟;廖继海;李丽秀;杨日福;刘友举;陈伟冰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;G09B25/02;H05K3/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种敷铜板腐蚀设备，包括支架、腐蚀槽、储液箱以及磁力离心泵，腐蚀槽略倾斜，腐蚀槽的高端设置着散液盒，散液盒通过管道与磁力离心泵的出水口相连；磁力离心泵的入水口是水平设置的，磁力离心泵的出水口设置成往下；腐蚀槽的后面还设置有后挡板，其特征在于后挡板上固定有一个海绵架，海绵架的出水口的下面正好是腐蚀槽。本发明的腐蚀设备增加了海绵架，敷铜板在腐蚀完之后先用海绵擦干再到水槽清洗，可大大减少对水槽的污染，从而更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜板 腐蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种敷铜板腐蚀设备，包括支架、腐蚀槽、储液箱以及磁力离心泵，腐蚀槽略倾斜，储液箱位于腐蚀槽低端的出水口的下面，储液箱通过管道与磁力离心泵的入水口相连，支架的上方呈一个台阶状，前低后高，腐蚀槽固定于上阶上面，下阶上面固定着水槽，水槽与腐蚀槽的长度大致相等，腐蚀槽的高端设置着散液盒，散液盒通过管道与磁力离心泵的出水口相连；磁力离心泵的入水口是水平设置的，磁力离心泵的出水口设置成往下；腐蚀槽的后面还设置有后挡板，其特征在于：后挡板上固定有一个海绵架，海绵架的出水口的下面正好是腐蚀槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
