[发明专利]一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610893671.4 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106395728B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 黄志明;张飞;周炜;吴敬;黄敬国;高艳卿;曲越;孙雷;江林;姚娘娟;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00;G01J5/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 锰钴镍氧 薄膜 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器，包括锰钴镍氧薄膜(1)，二氧化硅层(2)，氮化硅层(3)，聚酰亚胺牺牲层(4)和低阻硅衬底(5)；其特征在于：所述的红外探测器自低阻硅衬底(5)之上依次为聚酰亚胺牺牲层(4)、氮化硅层(3)、二氧化硅层(2)和锰钴镍氧薄膜(1)，在锰钴镍氧薄膜(1)上有铬和金复合金属电极(6)；所述的聚酰亚胺牺牲层(4)是呈拱形的牺牲层，拱形高度为1‑3μm，牺牲层厚度为1‑3μm，牺牲层与二氧化硅平直接触；所述的氮化硅层(3)的厚度50‑500nm；所述的二氧化硅层(2)的厚度50‑500nm；所述的锰钴镍氧薄膜(1)的厚度0.1‑2μm。
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