[发明专利]一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法在审
| 申请号： | 201610893773.6 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106430080A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;王学毅;谭琦;冉明;梁柳洪;徐阳;田本朗 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅片上进行光刻、刻蚀，形成沟槽；2)在步骤1)中得到的具有沟槽的硅片上生长SiO2阻挡层；3)在步骤2)中得到的硅片上淀积多晶硅牺牲层；4)采用化学机械抛光工艺，用Si粗研磨液对硅片的表面进行平整化处理，去除硅片表面的多晶硅牺牲层，所述沟槽内仍填满多晶硅牺牲层；5)采用SiO2研磨液对SiO2层进行化学机械抛光，去掉硅片表面的部分厚度的SiO2层，所述沟槽内多晶硅牺牲层的上表面高于槽外SiO2阻挡层的上表面高度；6)采用Si精研磨液将步骤5)中硅片上表面凸出的多晶硅牺牲层抛平，形成一种MEMS宽槽低台阶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 宽槽低 台阶 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS宽槽低台阶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅片上进行光刻、刻蚀，形成沟槽；2)在步骤1)中得到的具有沟槽的硅片上生长SiO2阻挡层；3)在步骤2)中得到的硅片上淀积多晶硅牺牲层；4)采用化学机械抛光工艺，用Si粗研磨液对硅片的表面进行平整化处理，去除硅片表面的多晶硅牺牲层，所述沟槽内仍填满多晶硅牺牲层；5)采用SiO2研磨液对SiO2层进行化学机械抛光，去掉硅片表面的部分厚度的SiO2层，所述沟槽内多晶硅牺牲层的上表面高于槽外SiO2阻挡层的上表面高度；6)采用Si精研磨液将步骤5)中硅片上表面凸出的多晶硅牺牲层抛平，形成一种MEMS宽槽低台阶结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆中科渝芯电子有限公司，未经重庆中科渝芯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610893773.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
