[发明专利]Sn‑Bi基钎料用于制作晶硅异质结太阳电池电极在审
| 申请号： | 201610893850.8 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106505110A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 魏秀琴;黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | Sn‑Bi基钎料用于制作晶硅异质结太阳电池电极，属于太阳电池材料技术领域。本发明所述的Sn‑Bi基钎料成分为Sn和Bi，其中Bi的重量百分比含量为5~70%，余为Sn。使用本发明所述合金代替银浆制作晶硅异质结太阳电池不仅可以避免银资源的大量消耗，大大降低成本，而且会减少太阳电池的固有电阻，这对进一步提高电池发电效率十分有利。 | ||
| 搜索关键词： | sn bi 基钎料 用于 制作 晶硅异质结 太阳电池 电极 | ||
【主权项】：
Sn‑Bi基钎料用于制作晶硅异质结太阳电池电极，其特征是所述的Sn‑Bi基钎料成分为Sn和Bi，其中Bi的重量百分比含量为5~70%，余为Sn。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学，未经南昌大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610893850.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
