[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201610893990.5 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106992150A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 宫井俊辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;B24B7/22;B24B37/04;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内形成有器件，该各器件具有在正面上突出的多个凸点，该晶片的加工方法具有如下的步骤槽形成步骤，从晶片的正面沿着该分割预定线形成深度比该规定的厚度深且未将晶片完全切断的槽；树脂覆盖步骤，利用具有该凸点的高度的1.5倍～5倍的厚度的液状树脂来覆盖形成有该槽的晶片的该正面；树脂硬化步骤，在实施了该树脂覆盖步骤之后，使该液状树脂硬化；以及磨削步骤，在实施了该树脂硬化步骤之后，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至该规定的厚度，并且使该槽露出于该背面，由此沿着该分割预定线对晶片进行分割而形成规定的厚度的多个器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内形成有器件，并且该各器件具有在正面上突出的多个凸点，该晶片的加工方法沿着该分割预定线对该晶片进行分割而形成规定的厚度的多个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：槽形成步骤，从晶片的正面沿着该分割预定线形成深度比该规定的厚度深且未将晶片完全切断的槽；树脂覆盖步骤，利用具有该凸点的高度的1.5倍～5倍的厚度的液状树脂将形成有该槽的晶片的该正面覆盖；树脂硬化步骤，在实施了该树脂覆盖步骤之后，使该液状树脂硬化；以及磨削步骤，在实施了该树脂硬化步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至该规定的厚度并且使该槽露出于该背面，由此沿着该分割预定线对晶片进行分割而形成规定的厚度的多个器件芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
