[发明专利]凸块结构物及其形成方法在审
| 申请号： | 201610894153.4 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106952834A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 張浩喆;金天午 | 申请（专利权）人： | 芯光飞株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 韩国京畿道城南市盆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种凸块结构物及其形成方法。根据本实施例，本发明的主要目的在于提供一种在形成用以将半导体装置间电连接的凸块结构物时，以不会蚀刻铝(Al)垫或绝缘膜不会产生龟裂的方式在铝(Al)垫上形成金(Au)凸块的凸块结构物及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种凸块结构物，其特征在于，包含：凸块，其与在基板的连接垫形成电连接；及凸块下部金属图案，其形成在所述连接垫上，具有与所述连接垫相同的尺寸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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