[发明专利]一种轻掺杂区形成方法及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201610894200.5 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106298948B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 方宏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种轻掺杂区形成方法及半导体器件制造方法，所述轻掺杂区形成方法包括：在基板的一表面依次层叠绝缘层、介质层和半导体层，其中所述半导体层中形成有沟道；在所述半导体层的沟道两侧形成离子注入区；向所述离子注入区注入杂质离子；使用激光照射所述半导体层，以使所述杂质离子扩散，在沟道两侧形成轻掺杂区。通过上述方式，本发明能够解决NMOS结构漏电流难抑制及活化温度较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种轻掺杂区形成方法,其特征在于，包括：在基板的一表面依次层叠绝缘层、介质层和半导体层，其中所述半导体层中形成有沟道，所述半导体层为非晶硅；在所述半导体层的沟道两侧形成离子注入区；向所述离子注入区注入杂质离子；使用激光照射所述半导体层，以使所述杂质离子扩散，在沟道两侧形成轻掺杂区；其中，所述使用激光照射所述半导体层具体包括：使用准分子镭射激光照射所述半导体层，以使所述半导体层温度升高，所述杂质离子随所述半导体层熔化扩散。
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